-
Rof elektrooptični modulator intenzivnosti, tankoslojni litijev niobatni modulator, 25G TFLN modulator
Modulator 25G TFLN, tankoslojni modulator intenzivnosti litijevega niobata, je visokozmogljiva elektrooptična pretvorbena naprava, ki jo je neodvisno razvilo naše podjetje in ima popolne neodvisne pravice intelektualne lastnine. Izdelek je pakiran z visoko precizno tehnologijo spajanja za doseganje ultra visoke učinkovitosti elektrooptične pretvorbe. V primerjavi s tradicionalnim kristalnim modulatorjem litijevega niobata ima ta izdelek značilnosti nizke polvalne napetosti, visoke stabilnosti, majhne velikosti naprave in termo-optičnega nadzora prednapetosti ter se lahko široko uporablja v digitalni optični komunikaciji, mikrovalovni fotoniki, hrbteničnih komunikacijskih omrežjih in komunikacijskih raziskovalnih projektih.
-
Rof polprevodniški laser 1550nm laserski modul za stabilizacijo frekvence z ozko širino črte
Polprevodniški laserski modul z ozko širino črte serije mikroizvornih fotonov, z ultra ozko širino črte, ultra nizkim šumom RIN, odlično frekvenčno stabilnostjo in zanesljivostjo, se pogosto uporablja v sistemih za zaznavanje in detekcijo optičnih vlaken (DTS, DVS, DAS itd.).
-
Fotodetektor serije Rof-QPD APD/PIN Štirikvadrantni fotoelektrični detekcijski modul 4-kvadrantni fotodetektor
Štirikvadrantni fotodetektorski modul serije ROF-QPD uporablja uvožene štirikvadrantne fotodiode in je posebej zasnovan s pogonskimi vezji in nizkošumnimi ojačevalnimi vezji. Uporablja se predvsem za merjenje položaja žarka in natančno merjenje kota, z odzivnimi valovnimi dolžinami 400–1700 nm (400–1100 nm / 800–1700 nm). Široko se uporablja tudi na področjih, kot so laserska kolimacija/laserska komunikacija in lasersko vodenje.
-
Rof elektrooptični modulator 1064nm Eo modulator LiNbO3 fazni modulator 2G
Fazni modulator LiNbO3 se zaradi dobrega elektrooptičnega učinka pogosto uporablja v visokohitrostnih optičnih komunikacijskih sistemih, laserskem zaznavanju in ROF sistemih. Serija R-PM, ki temelji na Ti-difuzni in APE tehnologiji, ima stabilne fizikalne in kemijske lastnosti, ki lahko izpolnjujejo zahteve večine aplikacij v laboratorijskih poskusih in industrijskih sistemih.
-
Rof elektrooptični modulator Eo modulator 300MHz 1064nm LiNbO3 fazni modulator
Fazni modulator LiNbO3 se zaradi dobrega elektrooptičnega učinka pogosto uporablja v visokohitrostnih optičnih komunikacijskih sistemih, laserskem zaznavanju in ROF sistemih. Serija R-PM, ki temelji na Ti-difuzni in APE tehnologiji, ima stabilne fizikalne in kemijske lastnosti, ki lahko izpolnjujejo zahteve večine aplikacij v laboratorijskih poskusih in industrijskih sistemih.
-
Optični modulator Rof 780nm elektrooptični fazni modulator 10G EO modulator
Elektrooptični fazni modulator litijevega niobata serije ROF-PM 780nm uporablja napredno tehnologijo izmenjave protonov z nizko vstavitveno izgubo, visoko modulacijsko pasovno širino, nizko polvalovno napetostjo in drugimi značilnostmi, ki se uporabljajo predvsem v vesoljskih optičnih komunikacijskih sistemih, atomski časovni referenci cezija, širjenju spektra, interferometriji in drugih področjih.
-
Rof elektrooptični modulator 850nm fazni modulator 10G
Fazni modulator LiNbO3 se zaradi dobrega elektrooptičnega učinka pogosto uporablja v visokohitrostnih optičnih komunikacijskih sistemih, laserskem zaznavanju in ROF sistemih. Serija R-PM, ki temelji na Ti-difuzni in APE tehnologiji, ima stabilne fizikalne in kemijske lastnosti, ki lahko izpolnjujejo zahteve večine aplikacij v laboratorijskih poskusih in industrijskih sistemih.
-
Rof elektrooptični modulator 1550nm fazni modulator 10G linbo3 modulator
Fazni modulator LiNbO3 (modulator linbo3) se zaradi dobrega elektrooptičnega učinka pogosto uporablja v visokohitrostnih optičnih komunikacijskih sistemih, laserskem zaznavanju in ROF sistemih. Serija R-PM, ki temelji na Ti-difuzni in APE tehnologiji, ima stabilne fizikalne in kemijske lastnosti, ki lahko izpolnjujejo zahteve večine aplikacij v laboratorijskih poskusih in industrijskih sistemih.
-
Rof elektrooptični modulator 1550nm fazni modulator 40G litijev niobatni modulator
Litijev niobatni elektrooptični fazni modulator (litijev niobatni modulator), ki temelji na titanovem difuzijskem postopku, ima značilnosti nizke vstavitvene izgube, visoke modulacijske pasovne širine, nizke polvalovne napetosti, visoke optične moči zaradi poškodb itd. Uporablja se predvsem na področjih optičnega krmiljenja čirpov v visokohitrostnih optičnih komunikacijskih sistemih, faznega premika v koherentnih komunikacijskih sistemih, generiranja stranskih pasov v ROF sistemih in zmanjšanja stimuliranega Brillouinovega sipanja (SBS) v analognih optičnih komunikacijskih sistemih.
-
Rof elektrooptični modulator 1064nm Eo modulator fazni modulator 10G
Fazni modulator LiNbO3 se zaradi dobrega elektrooptičnega učinka pogosto uporablja v visokohitrostnih optičnih komunikacijskih sistemih, laserskem zaznavanju in ROF sistemih. Serija R-PM temelji na Ti-difuznem in APE...
tehnologija, ima stabilne fizikalne in kemijske lastnosti, ki lahko izpolnjujejo zahteve večine aplikacij v laboratorijskih poskusih in industrijskih sistemih.
-
ROF EOM modulator Elektrooptični modulator Fazni modulator z nizkim Vpi
Fazni modulator serije ROF-PM-UV z nizkim Vpi ima nizko polvalovno napetost (2,5 V), nizko vstavno izgubo, visoko pasovno širino, visoke lastnosti optične moči pri poškodbah. Čirp v visokohitrostnem optičnem komunikacijskem sistemu se uporablja predvsem za nadzor svetlobe, fazni premik koherentnega komunikacijskega sistema, stranski pas ROF sistema in zmanjšanje simulacije optičnega komunikacijskega sistema v Brisbanu z globokim stimuliranim sipanjem (SBS) itd.
-
Rof elektrooptični modulator LiNbO3 MIOC serije Y-valovodni modulator
Modulator valovoda Y serije R-MIOC je večfunkcijsko integrirano optično vezje LiNbO3 (LiNbO3 MIOC), ki temelji na mikroelektronski tehnologiji in omogoča polarizacijo in analizator, delitev in združevanje žarka, fazno modulacijo in druge funkcije. Valovodi in elektrode so izdelani na čipu LiNbO3, izhodna in vhodna vlakna so natančno povezana z valovodi, nato pa je celoten čip zaprt v pozlačenem ohišju Kovar za doseganje dobre zmogljivosti in visoke zanesljivosti.
