Rof EOM 1550nm Intensity Modulator 2,5G tankoslojni modulator litij niobat

Modulator intenzivnosti Rof EOM 1550nm 2,5G tankoslojni modulator litijevega niobata Predstavljena slika

Kratek opis:

Intenzivni modulator LiNbO3 se pogosto uporablja v hitrih optičnih komunikacijskih sistemih, laserskem zaznavanju in sistemih ROF zaradi dobre elektrooptične zmogljivosti. Serija R-AM, ki temelji na strukturi MZ push-pull in oblikovanju X-cut, ima stabilne fizikalne in kemijske lastnosti, ki se lahko uporabljajo tako v laboratorijskih poskusih kot v industrijskih sistemih.

Pošljite nam e-pošto

Podrobnosti o izdelku

Rofea Optoelectronics ponuja optične in fotonske izdelke za elektrooptične modulatorje

Oznake izdelkov

Funkcija

* Nizke vstavljene izgube
* Visoka pasovna širina
* Nizka polvalovna napetost
* Možnost prilagajanja

Elektrooptični modulator Elektrooptični modulator LiNbO3 intenzitetni modulator MZM modulator Mach-Zehnderjev modulator LiNbO3 modulator Litijev niobatni modulator

Aplikacija

⚫ ROF sistemi
⚫ Kvantna porazdelitev ključev
⚫ Sistemi za lasersko zaznavanje
⚫ Stranska modulacija

Valovna dolžina

⚫750nm

⚫850nm

⚫ 1064nm

⚫ 1310nm

⚫ 1550nm

Pasovna širina

⚫ 10GHz
⚫ 20GHz
⚫ 40GHz
⚫ 50GHz

R-AM-15-2,5G

Parameter				Simbol		Min	Tip	maks	Enota
Optični parametri
Delovanjevalovna dolžina				l		1530	1550	1565	nm
Vstavljena izguba				IL			4	5	dB
Optična povratna izguba				ORL				-45	dB
Preklopite razmerje ekstinkcije @DC				ER@DC		20	23	45	dB
Dinamično razmerje izumrtja				DER			13		dB
Optična vlakna	Vnospristanišče					Panda PM Fujikura SM
	izhodpristanišče					Panda PM Fujikura SM
Vmesnik z optičnimi vlakni						FC/PC、FC/APC ali uporabnik, ki ga določi
Električni parametri
Delovanjepasovna širina（-3dB)					S₂₁	2.5	3		GHz
Polvalovna napetost Vpi		RF			@50KHz		4.5	5	V
		Bias			@Pristranskost		6	7	V
Električnialpovratna izguba					S₁₁		-12	-10	dB
Vhodna impedanca			RF		Z_RF	50			W
			Pristranskost		Z_PRISTRANOST	1M			W
Električni vmesnik						SMA(f)

Mejni pogoji

Parameter	Simbol	Enota	Min	Tip	maks
Vhodna optična moč	P_{notri, Maks}	dBm			20
Ivhodna RF moč		dBm			28
prednapetost	Vbias	V	-15		15
Delovanjetemperaturo	Vrh	℃	-10		60
Temperatura skladiščenja	Tst	℃	-40		85
Vlažnost	RH	%	5		90

S21 Krivulja

&S11 krivulja

S21&s11 krivulje

Mehanski diagram

PORT	Simbol	Opomba
notri	Optical vhodna vrata	PM vlakna (125μm/250μm)
ven	Optical izhodna vrata	PM Vlaknine(125 μm/250 μm)
RF	RF vhodna vrata	SMA(f)/ K(f) / V(f)
Pristranskost	Vrata za nadzor pristranskosti	1,2 Pristranskost, 3-PD katoda, 4-PD anoda

Prejšnja: Rof Electro Optical Modulator 1550nm AM Series High Extinction Ratio Intensity Modulator

Naprej: Rof Elektro-optični modulator 1550nm Suppression Carrier Single Side-band Modulator SSB Modulator

Rofea Optoelectronics ponuja linijo izdelkov komercialnih elektrooptičnih modulatorjev, faznih modulatorjev, modulatorjev intenzivnosti, fotodetektorjev, laserskih svetlobnih virov, DFB laserjev, optičnih ojačevalnikov, EDFA, SLD laserja, QPSK modulacije, pulznega laserja, detektorja svetlobe, uravnoteženega fotodetektorja, laserskega gonilnika , Ojačevalnik z optičnimi vlakni, Merilnik optične moči, Širokopasovni dostop laser, nastavljiv laser, optični detektor, gonilnik laserske diode, ojačevalnik vlaken. Nudimo tudi številne posebne modulatorje za prilagajanje, kot so fazni modulatorji niza 1*4, modulatorji z ultra nizkim Vpi in modulatorji z ultra visokim razmerjem ekstinkcije, ki se uporabljajo predvsem na univerzah in inštitutih.
Upamo, da bodo naši izdelki v pomoč vam in vašim raziskavam.

Sorodni izdelki